Недавнее землетрясение на Тайване, интенсивностью 4 балла, имело, как оказалось, незначительные последствия для полупроводникового производства. Хотя некоторые заводы испытали перебои в работе, общее влияние на производство было ограниченным, сообщает TrendForce
В целом, хотя землетрясение вызвало определенные перебои в работе полупроводниковой промышленности, быстрые восстановительные работы и меры готовности помогли смягчить его влияние на производство.
Масштабы разрушений
В секторе памяти DRAM больше всего пострадали завод Fab 3A компании Nanya в городе Синьбэй и завод Micron в районе Линкоу в Тайбэе. Предприятие Nanya, которое производит продукцию на основе 20-30-нм техпроцессов, и завод Micron, имеющий решающее значение для производства DRAM с использованием передовых технологий, имеют некоторые трудности. Однако ожидается, что обе компании полностью восстановят работу в течение короткого периода.
TSMC, ведущий производитель полупроводников, получил незначительные повреждения оборудования на заводе Fab 12, что особенно повлияло на 2-нм технологический процесс производства микросхем. Хотя это может привести к временным перебоям и потенциальному увеличению капитальных затрат, другие объекты компании быстро восстановили работу с минимальным влиянием.
Несмотря на землетрясение, заводы TSMC, использующие передовые технологии 3-нм и 5-нм техпроцессов, сохранили высокие показатели загрузки мощностей. Эти предприятия смогли быстро восстановить работу, более 90% производства было восстановлено в течение нескольких часов после сейсмического события.
Другие производители полупроводников, такие как UMC, PSMC и Vanguard, также сообщили о минимальных повреждениях своих производств. Эти компании быстро восстановили производство после проведения проверок и эвакуации персонала.
